تاثیر دما بر روی ضریب شکست لایه منیزیوم فلوراید لایه نشانی شده توسط تکنیک تبخیر باریکه الکترونی
thesis
- دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
- author محسن محمدی ججین
- adviser صمد رضا شکوری بابک محمد حسنی
- publication year 1393
abstract
لایه منیزیم فلوراید به دلیل خاصیت پاد بازتابندگی خود امروزه در صنایع اپتیکی و ساخت انواع لنزها با قابلیت پاد بازتابندگی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پروژه منیزیم فلوراید با استفاده از روش تبخیر باریکه الکترونی تبخیر شده و بر روی زیرلایه ای از جنس شیشه قرار گرفته است. این فرایند در دماهای 300،200،100،30 درجه سانتی گراد انجام گرفته و سپس در هر یک از دماهای ذکر شده ضریب عبور و ضریب شکست لایه اندازه گیری شده و سپس در طول موج دلخواه 480 نانومتر ضریب شکست نزدیک به 1.37 بدست می آید. با توجه به نتایج بدست آمده نتیجه گرفته که ضریب شکست لایه منیزیوم فلوراید لایه نشانی شده توسط تکنیک تبخیر باریکه الکترونی در طول موج مشخص با افزایش دمای محیط لایه نشانی به صورت خطی افزایش می یابد.
similar resources
اثر شار اکسیژن بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم، لایه نشانی شده با روش تبخیر باریکه الکترونی
در این مقاله اثر میزان شار اکسیژن هنگام لایه نشانی بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم بررسی شده است. لایه های توسط تفنگ الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در شارهای متفاوت اکسیژن انباشته شده اند. درجه حرارت زیرلایه در زمان لایه نشانی 250 درجه سلسیوس ثابت نگه داشته می شود. طیف عبوری نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی اندازه گیری شده اند. سپس با استفاده از نقاط بهینه (بیشی...
full textاثر شار اکسیژن بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم، لایهنشانی شده با روش تبخیر باریکه الکترونی
The effects of oxygen flow rate on refractive index of aluminum oxide film have been investigated. The Al2O3 films are deposited by electron beam on glass substrate at different oxygen flow rates. The substrate was heated to reach and the temperature was constant during the thin film growth. The transmittance spectrum of samples was recorded in the wavelength 400-800 nm. Then, using the maxim...
full textبررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی
In this paper, SiO2 thin film is produced by two methods: at the first method, SiO2 is evaporated by the electron gun and oxygen gas is injected to compensate for oxygen loss due to dissociation. At the second method, silicon monoxide is evaporated by thermal evaporation and during the evaporation time, substrate is bombarded by the ion oxygen that produced by an ion source. The refraction inde...
full textتأثیر زمان لایه نشانی بر خواص ساختاری و فیزیکی پوشش های کربنی لایه نشانی شده با روش کندوپاش مگنترونی
full text
تاثیردمای بازپخت برروی ویژگی های نانو ساختاری، مورفولوژی و نوری لایه های اکسید نیکل تهیه شده توسط اکسیژن دهی حرارتی لایه های نیکل انباشتی به روش تبخیر باریکه الکترونی
در این تحقیق،ابتدا لایه های نازک نیکل با روش تبخیر باریکه الکترونی تحت شرایط انباشت یکسان بر روی زیرلایه های سیلیکان و کوارتز لایه نشانی شده و سپس تحت فلوی اکسیژن در دماهای متفاوت C° 700-400 در کوره الکتریکی بازپخت حرارتی شدند. تاثیر دمای بازپخت بر روی ویژگی های ساختاری، مورفولوژیکی و نوری نمونه ها به ترتیب با آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ نیروی اتمی(AFM) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی ...
full textساخت حسگر پارچهای سیگنال قلب توسط چاپ و لایه نشانی فلز مس روی پارچه پلیاستر
In the last decade, a significant progress has been made in the wearable medical devices. Scientists are extensively involved in the design of the flexible instruments equipped with garments to fulfill the daily needs and requirements. The fulfillment of this demand particularly needs a conductive fabric substrate with a high level of homogeneity, and the lowest barrier against electrical curre...
full textMy Resources
document type: thesis
دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023